SI1403BDL-T1-GE3

制造商编号:
SI1403BDL-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
规格说明书:
SI1403BDL-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.810209 4.81
10 4.114895 41.15
100 3.073519 307.35

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±12V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 625mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-70-6
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准包装: 3,000

客服

购物车

SI1403BDL-T1-GE3

型号:SI1403BDL-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

库存:0

单价:

1+: ¥4.810209
10+: ¥4.114895
100+: ¥3.073519
500+: ¥2.415067
1000+: ¥1.86619
3000+: ¥1.701526
6000+: ¥1.646642

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.81