货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥4.016043 | ¥4.02 |
10 | ¥3.236458 | ¥32.36 |
100 | ¥2.204721 | ¥220.47 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 410mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 950mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.2nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 43.2pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 285mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | DFN1010B-6 |
标准包装: | 5,000 |
PMDXB1200UPEZ
型号:PMDXB1200UPEZ
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
库存:0
单价:
1+: | ¥4.016043 |
10+: | ¥3.236458 |
100+: | ¥2.204721 |
500+: | ¥1.653615 |
1000+: | ¥1.240261 |
2000+: | ¥1.136901 |
5000+: | ¥1.069548 |
10000+: | ¥0.97519 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.02