IXTA52P10P

制造商编号:
IXTA52P10P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
规格说明书:
IXTA52P10P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 64.356158 64.36
10 58.131913 581.32
100 48.129479 4812.95

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: PolarP™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 52A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50mOhm @ 52A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2845 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AA
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor ¥22.35000 类似

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IXTA52P10P

型号:IXTA52P10P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET P-CH 100V 52A TO263

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1+: ¥64.356158
10+: ¥58.131913
100+: ¥48.129479
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