SUP90N04-3M3P-GE3

制造商编号:
SUP90N04-3M3P-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
规格说明书:
SUP90N04-3M3P-GE3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 散装
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 131 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5286 pF @ 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRL1404ZPBF Infineon Technologies ¥22.27000 类似
IPP80N04S403AKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥8.43778 类似
IPP023N04NGXKSA1 Rochester Electronics, LLC ¥22.42000 类似
IXTP220N04T2 IXYS ¥30.57000 类似
PSMN2R8-40PS,127 Nexperia USA Inc. ¥22.27000 类似

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SUP90N04-3M3P-GE3

型号:SUP90N04-3M3P-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB

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