DMN65D8L-7

制造商编号:
DMN65D8L-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
规格说明书:
DMN65D8L-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 1.815301 1.82
10 1.652421 16.52
100 0.901434 90.14

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 310mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 欧姆 @ 115mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.87 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 22 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 370mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies ¥3.46000 类似

客服

购物车

DMN65D8L-7

型号:DMN65D8L-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

库存:0

单价:

1+: ¥1.815301
10+: ¥1.652421
100+: ¥0.901434
500+: ¥0.554587
1000+: ¥0.378117
3000+: ¥0.321408
6000+: ¥0.289901

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥1.82