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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 100mA（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.2 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 15.1pF @ 3V |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | US6 |
| 标准包装: | 3,000 |
SSM6N48FU,RF(D
型号：SSM6N48FU,RF(D
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
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