DMTH4004SCTB-13

制造商编号:
DMTH4004SCTB-13
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R
规格说明书:
DMTH4004SCTB-13说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.710718 16.71
10 14.962558 149.63
100 11.668284 1166.83

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 68.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4305 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 4.7W(Ta),136W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 800

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DMTH4004SCTB-13

型号:DMTH4004SCTB-13

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB T&R

库存:0

单价:

1+: ¥16.710718
10+: ¥14.962558
100+: ¥11.668284
800+: ¥9.639013
1600+: ¥7.609718

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥16.71