STGW15H120DF2

制造商编号:
STGW15H120DF2
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
规格说明书:
STGW15H120DF2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 35.709213 35.71
10 32.06369 320.64
100 26.27002 2627.00

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.6V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 259 W
开关能量: 380µJ(开),370µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 67 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 23ns/111ns
测试条件: 600V,15A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 231 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
标准包装: 30

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STGW15H120DF2

型号:STGW15H120DF2

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247

库存:0

单价:

1+: ¥35.709213
10+: ¥32.06369
100+: ¥26.27002
500+: ¥22.362895
1000+: ¥22.240959

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