APTC60AM83BC1G

制造商编号:
APTC60AM83BC1G
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
规格说明书:
APTC60AM83BC1G说明书

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封装: 托盘

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: CoolMOS™
包装: 托盘
零件状态: 停产
FET 类型: 3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
FET 功能: 超级结
漏源电压(Vdss): 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 83 毫欧 @ 24.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 250nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7200pF @ 25V
功率 - 最大值: 250W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商器件封装: SP1
标准包装: 1

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APTC60AM83BC1G

型号:APTC60AM83BC1G

品牌:Microsemi美高森美

描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1

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