货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥67.986761 | ¥67.99 |
10 | ¥61.10105 | ¥611.01 |
100 | ¥50.061159 | ¥5006.12 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ II Plus |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 34A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 88 毫欧 @ 17A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 57 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2500 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 250W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
STB40N60M2
型号:STB40N60M2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥67.986761 |
10+: | ¥61.10105 |
100+: | ¥50.061159 |
500+: | ¥42.616136 |
1000+: | ¥40.842487 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥67.99