货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥32.132653 | ¥32.13 |
10 | ¥28.844157 | ¥288.44 |
100 | ¥23.633401 | ¥2363.34 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.4 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 279 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 10034 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 294W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-7 |
封装/外壳: | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片) |
标准包装: | 800 |
IRFS7534TRLPBF
型号:IRFS7534TRLPBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥32.132653 |
10+: | ¥28.844157 |
100+: | ¥23.633401 |
800+: | ¥20.199151 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥32.13