- 制造商编号：
- TSM6502CR RLG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
- 规格说明书：
- TSM6502CR RLG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.714333 | ￥21.71 |
| 10 | ￥19.53834 | ￥195.38 |
| 100 | ￥15.702483 | ￥1570.25 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Tc），18A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 34 毫欧 @ 5.4A，10V，68 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10.3nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1159pF @ 30V，930pF @ 30V |
| 功率 - 最大值: | 40W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装: | 8-PDFN（5x6） |
| 标准包装: | 2,500 |
TSM6502CR RLG
型号：TSM6502CR RLG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥21.714333 |
| 10+： | ￥19.53834 |
| 100+： | ￥15.702483 |
| 500+： | ￥12.901072 |
| 1000+： | ￥10.689436 |
| 2500+： | ￥10.052779 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.71