- 制造商编号：
- TSM2537CQ RFG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
- 规格说明书：
- TSM2537CQ RFG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.131187 | ￥13.13 |
| 10 | ￥11.713201 | ￥117.13 |
| 100 | ￥9.13404 | ￥913.40 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.6A（Tc），9A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 30 毫欧 @ 6.4A，4.5V，55 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 9.1nC @ 4.5V，9.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 677pF @ 10V，744pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 6.25W |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装: | 6-TDFN（2x2） |
| 标准包装: | 3,000 |
TSM2537CQ RFG
型号：TSM2537CQ RFG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.131187 |
| 10+： | ￥11.713201 |
| 100+： | ￥9.13404 |
| 500+： | ￥7.545303 |
| 1000+： | ￥5.956794 |
| 3000+： | ￥5.559679 |
| 6000+： | ￥5.41527 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.13