货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥6.689261 | ¥6.69 |
10 | ¥5.843778 | ¥58.44 |
100 | ¥4.484043 | ¥448.40 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ON(安森美) |
系列: | PowerTrench® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 68 毫欧 @ 3.7A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 455 pF @ 10 V |
FET 功能: | 肖特基二极管(隔离式) |
功率耗散(最大值): | 1.4W(Tj) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 6-MicroFET(2x2) |
封装/外壳: | 6-VDFN 裸露焊盘 |
标准包装: | 3,000 |
FDFMA2N028Z
型号:FDFMA2N028Z
品牌:ON安森美
描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
库存:0
单价:
1+: | ¥6.689261 |
10+: | ¥5.843778 |
100+: | ¥4.484043 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥6.69