货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥41.441089 | ¥41.44 |
10 | ¥37.258436 | ¥372.58 |
100 | ¥30.525782 | ¥3052.58 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.7 毫欧 @ 106A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 215 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 9575 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 375W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-262 |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装: | 50 |
IRFSL4010PBF
型号:IRFSL4010PBF
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO262
库存:0
单价:
1+: | ¥41.441089 |
10+: | ¥37.258436 |
100+: | ¥30.525782 |
500+: | ¥26.090454 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.44