SH8MA2GZETB

制造商编号:
SH8MA2GZETB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
规格说明书:
SH8MA2GZETB说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.490324 6.49
10 5.680898 56.81
100 4.357966 435.80

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 80mOhm @ 4.5A,10V,82mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3nC @ 4.5V,6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 125pF @ 15V,305pF @ 15V
功率 - 最大值: 1.4W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOP
标准包装: 2,500

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SH8MA2GZETB

型号:SH8MA2GZETB

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO

库存:0

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1+: ¥6.490324
10+: ¥5.680898
100+: ¥4.357966
500+: ¥3.445118
1000+: ¥2.756087
2500+: ¥2.497705
5000+: ¥2.348938

货期:1-2天

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