STP120N10F4

制造商编号:
STP120N10F4
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 100V TO-220
规格说明书:
STP120N10F4说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: -
技术: -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
Vgs(最大值): ±20V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia USA Inc. ¥21.20000 类似
IXTP130N10T IXYS ¥28.65000 类似
CSD19531KCS Texas Instruments ¥17.97000 类似
FDP100N10 onsemi ¥29.34000 类似
IRFB4410ZPBF Infineon Technologies ¥14.51000 类似

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STP120N10F4

型号:STP120N10F4

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 100V TO-220

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