货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2000 | ¥3.399475 | ¥6798.95 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 89A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4 毫欧 @ 15A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 125 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4670 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.2W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI3333-8 |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
标准包装: | 2,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
TPN4R712MD,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥6.14000 | 类似 |
DMP2005UFG-7
型号:DMP2005UFG-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
库存:0
单价:
2000+: | ¥3.399475 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00