货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥10.879374 | ¥10.88 |
10 | ¥9.759109 | ¥97.59 |
100 | ¥7.610215 | ¥761.02 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.98A,3.36A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 33 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 430pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 870mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SO |
标准包装: | 2,500 |
ZXMHC3F381N8TC
型号:ZXMHC3F381N8TC
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
库存:0
单价:
1+: | ¥10.879374 |
10+: | ¥9.759109 |
100+: | ¥7.610215 |
500+: | ¥6.286388 |
1000+: | ¥4.962859 |
2500+: | ¥4.632002 |
5000+: | ¥4.511695 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.88