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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | DTMOSIV |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 450 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 570µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 23 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1400 pF @ 300 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 165W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
TK12E80W,S1X
型号：TK12E80W,S1X
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
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