货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥21.885312 | ¥21.89 |
10 | ¥19.652326 | ¥196.52 |
100 | ¥15.792646 | ¥1579.26 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 18A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 5.4mOhm @ 18A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 160 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7200 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.4W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOP |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
RS3E180ATTB1
型号:RS3E180ATTB1
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
库存:0
单价:
1+: | ¥21.885312 |
10+: | ¥19.652326 |
100+: | ¥15.792646 |
500+: | ¥12.975118 |
1000+: | ¥10.750886 |
2500+: | ¥10.110558 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.89