库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Renesas(瑞萨) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 供应商器件封装: | - |
| 封装/外壳: | - |
| 标准包装: | 1,000 |
H5N2307LSTL-E
型号：H5N2307LSTL-E
品牌：Renesas瑞萨
描述：MOSFET N-CH HS SW TO-263
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