NIF9N05CLT3G

制造商编号:
NIF9N05CLT3G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
规格说明书:
NIF9N05CLT3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 59 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 125 毫欧 @ 2.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 250 pF @ 35 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.69W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223(TO-261)
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
标准包装: 4,000

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型号 品牌 参考价格 说明
BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥6.83000 类似

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型号:NIF9N05CLT3G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

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