货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥143.607734 | ¥143.61 |
10 | ¥131.969912 | ¥1319.70 |
100 | ¥111.454521 | ¥11145.45 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(共源共栅氮化镓 FET) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 34.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 60 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1000 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 143W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-247-3 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
GAN063-650WSAQ
型号:GAN063-650WSAQ
品牌:Nexperia安世
描述:GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
库存:0
单价:
1+: | ¥143.607734 |
10+: | ¥131.969912 |
100+: | ¥111.454521 |
500+: | ¥102.565737 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥143.61