GAN063-650WSAQ

制造商编号:
GAN063-650WSAQ
制造商:
Nexperia安世
描述:
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
规格说明书:
GAN063-650WSAQ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 143.607734 143.61
10 131.969912 1319.70
100 111.454521 11145.45

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 34.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 60 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1000 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 143W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

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GAN063-650WSAQ

型号:GAN063-650WSAQ

品牌:Nexperia安世

描述:GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

库存:0

单价:

1+: ¥143.607734
10+: ¥131.969912
100+: ¥111.454521
500+: ¥102.565737

货期:1-2天

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