NTMFS5H615NLT1G

制造商编号:
NTMFS5H615NLT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN
规格说明书:
NTMFS5H615NLT1G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1500 15.008923 22513.38

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A(Ta),185A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 毫欧 @ 49A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4860 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.2W(Ta),139W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳: 8-PowerTDFN,5 引线
标准包装: 1,500

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NTMFS5H615NLT1G

型号:NTMFS5H615NLT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN

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