US1B-E3/5AT

制造商编号:
US1B-E3/5AT
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
规格说明书:
US1B-E3/5AT说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.38905 4.39
10 3.570921 35.71
100 2.433125 243.31

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 100 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 100 V
不同 Vr、F 时电容: 15pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 7,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
S1B onsemi ¥3.46000 类似
S1B-13-F Diodes Incorporated ¥2.07000 类似
US1G-13-F Diodes Incorporated ¥3.61000 类似
US1A-13-F Diodes Incorporated ¥3.61000 类似
ES1B onsemi ¥3.46000 直接

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US1B-E3/5AT

型号:US1B-E3/5AT

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

库存:0

单价:

1+: ¥4.38905
10+: ¥3.570921
100+: ¥2.433125
500+: ¥1.825173
1000+: ¥1.368837
2000+: ¥1.254783
7500+: ¥1.17874
15000+: ¥1.140718

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥4.39