库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 75 | ￥7.818835 | ￥586.41 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.6A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13.9 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 351 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 41W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 155°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-251 |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装: | 75 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STU5N62K3 | STMicroelectronics | ¥14.74000 | 类似 |
DMJ70H1D3SJ3
型号：DMJ70H1D3SJ3
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
库存：0
单价：
| 75+： | ￥7.818835 |
货期：1-2天
+ -
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