IXTN170P10P

制造商编号:
IXTN170P10P
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
规格说明书:
IXTN170P10P说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 353.386927 353.39
10 325.901277 3259.01
100 278.3001 27830.01

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Polar
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 170A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 12 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 12600 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 890W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
标准包装: 10

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IXTN170P10P

型号:IXTN170P10P

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

库存:0

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1+: ¥353.386927
10+: ¥325.901277
100+: ¥278.3001

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