库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥47.359468 | ￥47.36 |
| 10 | ￥42.500429 | ￥425.00 |
| 100 | ￥34.818721 | ￥3481.87 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | PowerTrench® |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 210 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 15265 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 375W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 1,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PSMN9R5-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | ¥21.20000 | 类似 |
| IPP048N12N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥42.08000 | 类似 |
| PSMN015-100P,127 | Nexperia USA Inc. | ¥19.74000 | 类似 |
| TK65E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥21.35000 | 类似 |
| PSMN5R0-80PS,127 | Rochester Electronics, LLC | ¥25.57000 | 类似 |
FDP047N10
型号：FDP047N10
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
库存：0
单价：
| 1+： | ￥47.359468 |
| 10+： | ￥42.500429 |
| 100+： | ￥34.818721 |
| 500+： | ￥29.640611 |
| 1000+： | ￥28.406928 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥47.36