库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.99874 | ￥7.00 |
| 10 | ￥6.197419 | ￥61.97 |
| 100 | ￥4.750595 | ￥475.06 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVI |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.7 毫欧 @ 18A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 65 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4300 pF @ 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 42W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-TSON Advance（3.1x3.1） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
TPN4R712MD,L1Q
型号：TPN4R712MD,L1Q
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.99874 |
| 10+： | ￥6.197419 |
| 100+： | ￥4.750595 |
| 500+： | ￥3.755314 |
| 1000+： | ￥3.004261 |
| 2000+： | ￥2.722613 |
| 5000+： | ￥2.560445 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥7.00