CSD17313Q2Q1

制造商编号:
CSD17313Q2Q1
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
规格说明书:
CSD17313Q2Q1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.019653 8.02
10 7.037401 70.37
100 5.39418 539.42

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: Automotive, AEC-Q100, NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): +10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.3W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WSON(2x2)
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTLUS4930NTBG onsemi ¥2.21452 类似
NTLUS4930NTAG onsemi ¥2.21452 类似

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CSD17313Q2Q1

型号:CSD17313Q2Q1

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON

库存:0

单价:

1+: ¥8.019653
10+: ¥7.037401
100+: ¥5.39418
500+: ¥4.26454
1000+: ¥3.411635
3000+: ¥3.392251

货期:1-2天

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