FCD7N60TM

制造商编号:
FCD7N60TM
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
规格说明书:
FCD7N60TM说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.424746 16.42
10 14.68529 146.85
100 11.448707 1144.87

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: SuperFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 920 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 83W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
FCD7N60TM-WS onsemi ¥13.90000 类似

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型号:FCD7N60TM

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

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10+: ¥14.68529
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