IDP08E65D1XKSA1

制造商编号:
IDP08E65D1XKSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2
规格说明书:
IDP08E65D1XKSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 16.197411 16.20
10 14.57539 145.75
100 11.712062 1171.21

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 8 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 80 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220-2
工作温度 - 结: -40°C ~ 175°C
标准包装: 50

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IDP08E65D1XKSA1

型号:IDP08E65D1XKSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

库存:0

单价:

1+: ¥16.197411
10+: ¥14.57539
100+: ¥11.712062
500+: ¥9.622653
1000+: ¥9.562947

货期:1-2天

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