货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥3.681748 | ¥3.68 |
10 | ¥3.046846 | ¥30.47 |
100 | ¥1.613358 | ¥161.34 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | Automotive, AEC-Q101 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 220mA |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2.8 欧姆 @ 250mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.87nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 22pF @ 25V |
功率 - 最大值: | 300mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装: | SOT-363 |
标准包装: | 3,000 |
DMN63D8LDWQ-7
型号:DMN63D8LDWQ-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
库存:0
单价:
1+: | ¥3.681748 |
10+: | ¥3.046846 |
100+: | ¥1.613358 |
500+: | ¥1.061643 |
1000+: | ¥0.721919 |
3000+: | ¥0.651134 |
6000+: | ¥0.566191 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.68