1N4003 TR

制造商编号:
1N4003 TR
制造商:
Central美国中央
描述:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
规格说明书:
1N4003 TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Central(美国中央)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装: DO-41
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 5,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
1N4003-T Diodes Incorporated ¥1.69000 直接
1N4935RLG onsemi ¥2.76000 类似
1N4003E-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥2.69000 类似

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1N4003 TR

型号:1N4003 TR

品牌:Central美国中央

描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

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