货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥34.92531 | ¥34.93 |
10 | ¥31.34729 | ¥313.47 |
100 | ¥25.686745 | ¥2568.67 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 195A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.95 毫欧 @ 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 255 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 15330 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 375W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO263-3 |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 800 |
IRL60S216
型号:IRL60S216
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥34.92531 |
10+: | ¥31.34729 |
100+: | ¥25.686745 |
800+: | ¥21.954217 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥34.93