- 制造商编号：
- SH8M51GZETB
- 制造商：
- Rohm Semiconductor罗姆
- 描述：
- 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
- 规格说明书：
- SH8M51GZETB说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.484544 | ￥13.48 |
| 10 | ￥12.071117 | ￥120.71 |
| 100 | ￥9.412052 | ￥941.21 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A（Ta），2.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 170 毫欧 @ 3A，10V，290 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.5nC @ 5V，12.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 610pF @ 25V，1550pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 1.4W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
SH8M51GZETB
型号：SH8M51GZETB
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
库存：0
单价：
| 1+： | ￥13.484544 |
| 10+： | ￥12.071117 |
| 100+： | ￥9.412052 |
| 500+： | ￥7.775418 |
| 1000+： | ￥6.138556 |
| 2500+： | ￥5.729313 |
| 5000+： | ￥5.580504 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.48