STB7NK80Z-1

制造商编号:
STB7NK80Z-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
规格说明书:
STB7NK80Z-1说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1000 20.178951 20178.95

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.8 欧姆 @ 2.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 56 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1138 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I2PAK
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
标准包装: 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
FQI7N80TU onsemi ¥23.19000 类似

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型号:STB7NK80Z-1

品牌:ST意法半导体

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