库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥6.017848 | ￥6.02 |
| 10 | ￥5.176095 | ￥51.76 |
| 100 | ￥3.861618 | ￥386.16 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 23 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.05V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 143pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 920mW |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-PowerUDFN |
| 供应商器件封装: | U-DFN3030-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
DMG8601UFG-7
型号：DMG8601UFG-7
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥6.017848 |
| 10+： | ￥5.176095 |
| 100+： | ￥3.861618 |
| 500+： | ￥3.034065 |
| 1000+： | ￥2.344549 |
| 3000+： | ￥2.137691 |
| 6000+： | ￥1.999766 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥6.02