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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 和 P 沟道 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5A（Ta），4.5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 51毫欧 @ 5A，10V，56毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 3.9nC @ 5V，8.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 230pF @ 10V，850pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 2W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 标准包装: | 2,500 |
SP8M3FU7TB1
型号：SP8M3FU7TB1
品牌：Rohm Semiconductor罗姆
描述：MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
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