- 制造商编号：
- SIR878BDP-T1-RE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
- 规格说明书：
- SIR878BDP-T1-RE3说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.99669 | ￥17.00 |
| 10 | ￥15.182632 | ￥151.83 |
| 100 | ￥11.837753 | ￥1183.78 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A（Ta），42.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 14.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1850 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 5W（Ta），62.5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装: | 3,000 |
SIR878BDP-T1-RE3
型号：SIR878BDP-T1-RE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
库存：0
单价：
| 1+： | ￥16.99669 |
| 10+： | ￥15.182632 |
| 100+： | ￥11.837753 |
| 500+： | ￥9.779053 |
| 1000+： | ￥7.720302 |
| 3000+： | ￥7.720302 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.00