- 制造商编号：
- ISP25DP06NMXTSA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
- 规格说明书：
- ISP25DP06NMXTSA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥3.622869 | ￥3622.87 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 250 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 270µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 420 pF @ 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta），4.2W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 1,000 |
ISP25DP06NMXTSA1
型号：ISP25DP06NMXTSA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
库存：0
单价：
| 1000+： | ￥3.622869 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00