FGA50N100BNTD2

制造商编号:
FGA50N100BNTD2
制造商:
ON安森美
描述:
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
规格说明书:
FGA50N100BNTD2说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT 和沟道
电压 - 集射极击穿(最大值): 1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.9V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 156 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 257 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 34ns/243ns
测试条件: 600V,60A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 75 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
标准包装: 450

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FGA50N100BNTD2

型号:FGA50N100BNTD2

品牌:ON安森美

描述:IGBT 1000V 50A 156W TO3P

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