货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥40.351044 | ¥40.35 |
10 | ¥36.224751 | ¥362.25 |
100 | ¥29.68241 | ¥2968.24 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | HEXFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 105A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 11.8 毫欧 @ 63A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 5320 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 380W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D2PAK(7-Lead) |
封装/外壳: | TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片),TO-263CB |
标准包装: | 800 |
IRFS4115TRL7PP
型号:IRFS4115TRL7PP
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥40.351044 |
10+: | ¥36.224751 |
100+: | ¥29.68241 |
800+: | ¥25.369305 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥40.35