BSO033N03MSGXUMA1

制造商编号:
BSO033N03MSGXUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO
规格说明书:
BSO033N03MSGXUMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.096159 17.10
10 15.25972 152.60
100 11.894202 1189.42

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.3 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 124 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9600 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.56W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-DSO-8
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7831TRPBF Infineon Technologies ¥9.75000 类似

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BSO033N03MSGXUMA1

型号:BSO033N03MSGXUMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8DSO

库存:0

单价:

1+: ¥17.096159
10+: ¥15.25972
100+: ¥11.894202
500+: ¥9.825455
1000+: ¥8.618864
2500+: ¥8.618864

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