库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.302015 | ￥4.30 |
| 10 | ￥3.237702 | ￥32.38 |
| 100 | ￥2.019585 | ￥201.96 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 47 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 68 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 150mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | SOT-563 |
| 标准包装: | 3,000 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NSVBC114YDXV6T1G | onsemi | ¥0.56945 | 类似 |
| RN1907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.15000 | 类似 |
| EMD4DXV6T1G | onsemi | ¥3.30000 | 类似 |
| RN4907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥2.15000 | 类似 |
| NSBC114YDXV6T5G | onsemi | ¥0.31636 | 类似 |
DDC114YH-7
型号：DDC114YH-7
品牌：Diodes美台
描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
库存：0
单价：
| 1+： | ￥4.302015 |
| 10+： | ￥3.237702 |
| 100+： | ￥2.019585 |
| 500+： | ￥1.381544 |
| 1000+： | ￥1.062797 |
| 3000+： | ￥0.956515 |
| 6000+： | ￥0.903373 |
| 15000+： | ￥0.823662 |
| 30000+： | ￥0.770533 |
| 75000+： | ￥0.751982 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.30