- 制造商编号：
- BSC010N04LS6ATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
- 规格说明书：
- BSC010N04LS6ATMA1说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.831644 | ￥26.83 |
| 10 | ￥24.138533 | ￥241.39 |
| 100 | ￥19.40271 | ￥1940.27 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 40A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1mOhm @ 50A， 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 67 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 4600 pF @ 20 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta），150W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TDSON-8-6 |
| 封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
| 标准包装: | 5,000 |
BSC010N04LS6ATMA1
型号：BSC010N04LS6ATMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON
库存：0
单价：
| 1+： | ￥26.831644 |
| 10+： | ￥24.138533 |
| 100+： | ￥19.40271 |
| 500+： | ￥15.941304 |
| 1000+： | ￥15.182197 |
| 5000+： | ￥15.182197 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.83