SI4904DY-T1-GE3

制造商编号:
SI4904DY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
规格说明书:
SI4904DY-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 20.483284 20.48
10 18.374543 183.75
100 14.76757 1476.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 16 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 85nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2390pF @ 20V
功率 - 最大值: 3.25W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

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SI4904DY-T1-GE3

型号:SI4904DY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥20.483284
10+: ¥18.374543
100+: ¥14.76757
500+: ¥12.13267
1000+: ¥10.399433
2500+: ¥10.399422

货期:1-2天

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