STP11NM60FD

制造商编号:
STP11NM60FD
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB
规格说明书:
STP11NM60FD说明书

库存 :931

货期: 国内(1~2天)

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 53.091344 53.09
10 47.63798 476.38
100 39.033452 3903.35

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: FDmesh™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 900 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 160W(Tc)
工作温度: -
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXTP8N70X2M IXYS ¥25.57000 类似
IXTP8N70X2 IXYS ¥32.10000 类似
FCP600N60Z onsemi ¥14.82000 类似

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STP11NM60FD

型号:STP11NM60FD

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB

库存:931

单价:

1+: ¥53.091344
10+: ¥47.63798
100+: ¥39.033452
500+: ¥33.22894
1000+: ¥31.845842

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