SI8808DB-T2-E1

制造商编号:
SI8808DB-T2-E1
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT
规格说明书:
SI8808DB-T2-E1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.488519 4.49
10 3.82954 38.30
100 2.858975 285.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 95 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC @ 8 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 4-Microfoot
封装/外壳: 4-UFBGA
标准包装: 3,000

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SI8808DB-T2-E1

型号:SI8808DB-T2-E1

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

库存:0

单价:

1+: ¥4.488519
10+: ¥3.82954
100+: ¥2.858975
500+: ¥2.2461
1000+: ¥1.735614
3000+: ¥1.582507
6000+: ¥1.531455

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